PVD基本方法:真空蒸發、濺射 、離子鍍(空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應
離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍)，以下介紹幾種常用的方法，
電子束蒸發
電子束蒸發是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發源，使其蒸發并沉積在基片表面而形成薄膜。
特征:直空環境;蒸發源材料需加熱熔化:基底材料也在較高溫度中:用磁場控制藝發的氣體，從而
控制生成鍍膜的厚度。
濺射沉積
濺射是與氣體輝光放電相聯系的一種薄膜沉積技術。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應濺
射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。
特征:在真空室內充入放電所需要的惰性氣體(如氬氣)，在高壓電場作用下氣體分子因電離而產生大量
正離子。帶電離子被強電場加速，便形成高能量的離子流轟擊蒸發源材料(稱為靶)。在離子轟擊下，蒸發源
材料的原子將離開固體表面，以高速度濺射到基片上并沉積成清膜，
RF(射頻)濺射
RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF
濺射不僅可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜，因而使用范圍較廣。
電弧離子鍍
陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉
積，該技術材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。
過濾陰極弧
過源陰極電引(FCA)配有高效的電磁過濾系統，可將弧源產生的等離子體中的宏觀大顆粒過源損，因
此制備的演膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。
離子束
離子束加工是在直空條件下，先由電子槍產生電子束，再引入已抽成真空目充滿惰性氣體之電離室
中，使低壓借性氣體離子化。由負極引出陽離子又經加速，集束等步驟，獲得具有一定速度的離子投射到
材料表面，產生濺射效應和注入效應。由于離子帶正電荷，其質量比電子大數千、數萬倍，所以離子束比
電子克具有更大的撞擊動能，是靠微觀的機械撞擊能量來加工的。
