磁控測射鍍膜設備的工作原理要從一開始的"濺射現象"說起,人們由起初發覺"濺射現象"發展至"濺射鍍膜"此
間歷經了相當長的發展時間,濺射現象早在19世紀50年代的法拉第氣體放電實驗就已經發現了.不過當時還只
將此現象作為一種避免范疇的研究,認為這種現象是有害的
直到20世紀,才有人證明了沉積金屬是陰極被正離子轟擊才濺射出來的物質,20世紀60年代時測射制取的鉭
膜出現.到了1965年出現同軸圓柱磁控濺射裝置和三級濺射裝置.20世紀70年代,平面磁控濺射鍍膜設備被研
發出來,實現了高速低溫濺射鍍膜,使濺射鍍膜一日千里,進展飛快
磁控測射鍍膜設備的磁控測射靶是采用靜止電磁場,而磁場是曲線型的,對數電場用干同軸圓樣形靶 均勻電場
用于平面靶:S-槍靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的
電子受電場影響而加速飛向基材.在此過程中跟氬原子觸發碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離
出Ar?同時產生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場影響會移動到陰極(也就是濺射靶),同時用一種高能呈轟
擊靶的表面.也就是讓靶材發生濺射
在這些漫射粒子中,中性的靶分子或原子會沉積在基片上而成膜,而一次電子在加速飛向基材時,在磁場的洛侖
茲力影響之下,呈現螺旋線狀與擺線的復合形式在靶表面作一系列圓周運動.該電子不但運動路徑長.還是被電
磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區域范圍內,于此區內電離出大量的Ar?對靶材進行轟擊,所以說磁控
濺射鍍膜設備的沉積速率高.
伴隨碰撞頻次的增多,電子能量會逐漸變弱,電子也慢慢遠離靶面,低能電子會沿著磁力線來回振蕩 直至電子
能量快耗盡的時候,受電場影響而終會沉積于基材上。
因為該電子的能量較弱,所以傳給基材的能量較低,基材的溫升作用不大.位于磁極軸線處的電場跟磁場相互間
平行,第二類電子將直接飛向基片,但是,在磁控濺射鍍膜設備中,磁極軸線處離子電流密度低,所以對于第二米
包括電子數據很少,讓基片溫升效果較差
磁控濺射鍍膜設備的基本原理是通過磁場使電子運動的方向改變,通過對電子的運動路徑的延長及區域范圍
束縛,來增加電子的電離概率,更好地使電子的能是利用更有效,這便是磁控測射技術的"高速"和"低溫"的特性
機理,設備始于1974年時J.chapin的研發成果,當時磁控濺射鍍膜設備一經研發,其相較干別的鍍膜工藝顯得
優越性較為突出,設備話用范圍極廣,可在任何基材上鍍上任何物料的膜層
